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时间:2019-9-6, 来源:互联网, 文章类别:元器件知识库

特征

高级爆发模式操作低EMI频率调制精密固定操作频率内部启动电路脉冲电流限制逆向电流保护过压保护过重保护内部热关闭功能自我维持模式在电压锁下低操作电流(3MA)可调峰值电流极限Built-in Soft Start经验

应用

VCR、SVR、机顶盒、DVD的开关电源打印机、传真机和扫描仪用开关电源摄像机适配器

说明

fsdx0265rn(x代表m,h)是集成脉冲宽度调制器(pwm)和传感fet专为高性能离线开关电源而设计以最少的外部组件提供(SMP)。两个设备是集成的高压功率开关稳压器,它结合了雪崩坚固的感测场效应晶体管和电流模式脉宽调制控制块。集成的pwm控制器的特点包括:频率固定的振荡器降低电磁干扰的调制,欠压锁定(uvlo)保护、前缘消隐(leb)、优化的栅极开/关驱动器、热关机(TSD)保护,异常过流保护(AOCP)和温度补偿精密电流回路补偿和故障保护电路的来源。当与分立mosfet和控制器或rcc开关变换器解决案,fsdx0265rn降低组件总数、设计尺寸、重量和时间可以提高效率、生产率和系统可靠性。这两个设备都是一个基本的平台,非常适合反激变换器的成本效益设计。

典型电路

内部框图

功能描述

1。创业:在前几代飞兆电力中开关(FPSTM)VSTR引脚有一个外部电阻直流输入电压线。在这一代中,启动电阻器被内部高压电流源和供电15分钟后关闭的开关电压VCC高于。VCC降到8V以下。

2。反馈控制:fsdx0265rn采用电流模式控制,如图5所示。光耦(如h11a817a)和并联调节器(如ka431)是通常用于实现反馈网络。将反馈电压与传感器两端的电压进行比较电阻器加上偏移电压,可以控制切换占空比。当超过2.5V的内部参考电压A LED电流增加,从而降低反馈电压和降低占空比。本次活动当输入电压增加或输出负载降低。

3。前缘消隐(LEB):在内部感测场效应管通电的瞬间,感测场效应管中通常存在一个高电流尖峰,这是由一次侧引起的电容和二次侧整流二极管反向恢复。RSENSE电阻器上的电压过高会导致至电流模式下的不正确反馈操作控制。为了抵消这种影响,fpstm使用了一边缘消隐(LEB)电路。此电路抑制脉冲宽度调制传感场效应管被激活后短时间比较器(TLEB)打开。

4。过载保护(OLP):过载定义为由于意外事件而超过预设水平的负载电流。在这种情况下,保护电路应激活以保护SMPS,然而,即使当开关电源正常工作时,过载在负载转换过程中,可以启动保护电路。为了避免这种不希望的操作,过载保护电路设计为在指定的确定这是暂时情况还是超载情况。结合IPK电流限制引脚(如果使用)电流模式反馈路径将限制最大脉宽调制占空比时感应场效应管中的电流达到循环。如果输出消耗超过这个最大功率,输出电压(vo)就会降低到设定值以下电压。这会减少通过光耦的电流LED,它也降低了光耦晶体管的电流,从而增加反馈电压(vfb)。如果VFB超过3V,反馈输入二极管被阻断,5UA IDELAY电流源开始向循环流化床缓慢充电,直至达到VCC。在这个条件下,VFB继续增加,直到达到6V,此时开关操作终止。关机的延迟时间是充电所需的时间循环流化床从3V到6V,带5uA。频率调制:EMI降低可以通过调制开关的开关频率来实现电源。调频可以通过将能量传播到比电磁干扰测试设备测量的带宽。这个电磁干扰的减少量与参考频率。如图所示频率在4ms内从65kHz变为69kHzFSDM0265RN号。

漏感钳位由R1和C8提供,在所有条件下,保持漏极电压低于650伏。电阻器r1和电容器c8的选择使得r1耗散功率以防止漏极电压升高通过漏感。的调频特性fsdl0165rn允许所示电路满足CISPr2ab具有简单的EMI滤波(C1、LF1和C2)和输出接地的。第二部分通过D13、D14和D15。3.4V输出的二极管D15是肖特基二极管最大限度地提高效率。5的二极管D14v输出是pn型,将5v输出集中在5v。3.3V和5 V输出电压需要两个并联电容器满足纹波电流要求。开关噪声滤波由l3、l2和l1提供。电阻r15防止轻载23V输出的峰值充电。由次级参考()电压调节。3.3 V和5 V输出均通过R13和R14感应。电阻器r22为tl431提供偏置,r21设置总直流增益。电阻器r21、c209、r14和r13提供回路补偿。


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