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型号:
F60UP30DN
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内容描述:
[60Amperes,300Volts Dual Common Cathode Ultra Fast Recovery Rectifiers]
文件大小:
5115 K
文件页数:
2 Pages
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苹果彩票效益平台名称:
THINKISEMI [ Thinki Semiconductor Co., Ltd. ]


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 浏览型号F60UP30DN的Datasheet PDF文件第2页 
F60UP30DN
F60UP30DN
TO-3PB(TO-3PN)
Cathode(Bottom Side Metal Heatsink)
Pb
Pb Free Plating Product
60Amperes,300Volts Dual Common Cathode Ultra Fast Recovery Rectifiers
APPLICATION
·
·
·
·
·
·
·
Freewheeling, Snubber, Clamp
Inversion Welder
PFC
Plating Power Supply
Ultrasonic Cleaner and Welder
Converter & Chopper
UPS
PRODUCT FEATURE
·
Ultrafast Recovery Time
·
Soft Recovery Characteristics
·
Low Recovery Loss
·
Low Forward Voltage
·
High Surge Current Capability
·
Low Leakage Current
Internal Configuration
Base Backside
Anode
Anode
Cathode
GENERAL DESCRIPTION
F60UP30DN using the lastest FRED FAB process(planar passivation chip) with ultrafast and soft recovery characteristic.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Continuous forward current
Single pulse forward current
Maximum repetitive forward current
Operating junction
Storage temperatures
Symbol
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
I
FRM
Tj
Tstg
Test Conditions
Tc =110°C
Tc =25°C
Square wave, 20kHZ
Values
300
60
600
150
175
-55 to +175
°C
°C
A
Units
V
Electrical characteristics (Ta=25°C unless otherwise specified)
Parameter
Breakdown voltage
Blocking voltage
Forward voltage
(Per Diode)
Reverse leakage
current(Per Diode)
Reverse recovery
time(Per Diode)
Symbol
V
BR
,
V
R
V
F
Test Conditions
I
R
=100?A
I
F
=30A
I
F
=30A, Tj =125°C
V
R
= V
RRM
I
R
Tj=150°C, V
R
=300V
I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
RR
=0.25A
I
F
=1A,V
R
=30V, di/dt =200A/us
35
26
Min
300
0.96
0.85
1.20
1.00
10
100
45
40
?A
V
Typ.
Max.
Units
t
rr
ns
Thermal characteristics
Junction-to-Case
Paramter
Symbol
R
θJC
Typ
0.8
℃/W
Units
Rev.08T
? 1995 Thinki Semiconductor Co., Ltd.
Page 1/2
http://www.thinkisemi.com.tw/